GaAs高频器件GaAs高频器件

概要

最适合卫星电视接收机、通信接收装置和卫星通信接收器的化合物半导体GaAs(Gallium Arsenide镓砷)高频器件。

在接收卫星电波的设备中,为了无噪音地放大微弱的信号,使用了HEMT器件。

三菱电机通过栅长的微细化等器件结构及封装结构的改良,实现了低噪音化,有助于实现卫星电视接收机的小型化以及接收机的小型化、低价化。

特长

低噪音 / 丰富的产品阵容

主要用途

直播卫星(DBS) /卫星数字音频无线电服务(SDARS) /全球定位系统(GPS) /汽车/ 等

产品选择图

低噪声GaAs HEMT

低噪声GaAs HEMT MGF4921AM MGF4921AM MGF4934CM MGF4935AM MGF4937AM MGF4941AL MGF4941CL MGF4964BL MGF4965BM
  • ★:New Product
  • ■:AEC-Q101 qualified
  • FET:Field Effect Transistor
  • HEMT:High Electron Mobility Transistor

相关的表特性参数

小信号GaAs FET/HEMT, InGaP HBT

小信号GaAs FET/HEMT, InGaP HBT MGF3022AM MGF4841AL MGF4841CL
  • ■:AEC-Q101 qualified
  • HBT:Heterojunction Bipolar Transistor

相关的表特性参数


  • 我们可提供太空级器件,如有需要请联系销售代表。
  • 三菱机电的大多数器件提供ADS/MWO非线性模块以及可靠性数据。请联系销售代表。

特性参数表

请您参照 GaAs高频器件 特性参数表