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半导体·器件

GaN高频器件GaN高频器件

概要

由于智能手机和平板电脑等便携终端的迅速普及,移动通信系统基站的增设、灾害时的通信确保以及地面通信网络的维护,均需要在地理上存在较高难度的地区,设置高速通信手段——卫星通信系统的地面站 (SATCOM)。

各系统采用了使用硅晶体管的功率放大器,但将逐步更换为GaN放大器,该类放大器使用了有望实现比硅更高效、高功率的GaN(Gallium Nitride 氮化镓)。

本公司的GaN高频器件具有高效、高功率的特点,拥有丰富的产品阵容,有助于实现高速、大容量通信系统的升级。

特长

GaN高频器件 / 高效率・高输出功率 / 丰富的产品阵容

主要用途

移动通信系统基站
卫星通信地面站(SATCOM)

产品选择图

GaN HEMT / 高輸出GaN HEMT

GaN HEMT / High Power GaN HEMT MGFS39G38L2 MGFS38G38L2 MGFS37G38L2 MGFK50G3745 MGFK49G3745 MGFK48G3745 MGFG5H1503 MGFG5H3001
  • ★:New Product
  • Partially supported by Japan's New Energy and Industrial Technology Development Organization(NEDO).

3.5GHz 移动通信系统基站 GaN HEMT

移动通信系统基站

以5W/7W/9W输出的产品阵容支持小蜂窝基站的多样化需求

特长

3.5GHz 移动通信系统基站 GaN HEMT
  • 通过采用耐电压能力出众的GaN以及优化晶体管结构,实现了高达67%的业界顶级漏极效率
  • 通过高效化实现功率放大器的小型化和低耗电化,能够简化通信设备的冷却功能,有助于实现基站的小型化和低耗电化
  • 以5W/7W/9W的产品阵容支持移动通信系统基站的多样化需求

※截至2015年12月正在

产品阵容

用途 频率 型号 输出功率 线性功率
增益
功率附加
效率
推奨動作
電圧
外装
Micro-cell BTS 3.4-3.8GHz MGFS39G38L2 9W 39.5dBm 20dB 67% 50V Plastic molded package
MGFS38G38L2 7W 38.4dBm 20dB 67%
MGFS37G38L2 5W 37.0dBm 20dB 67%

用Doherty放大器测量结果(5Wx2芯片)

Doherty放大器(5Wx2芯片)
Freq 3.48GHz 3.50GHz 3.52GHz
Psat 33.9dBm 33.9dBm 34.0dBm
Glp 14.3dB 14.1dB 13.5dB
Effd 51.6% 51.3% 52.0%
E-UTRA -50.0dBc -50.0dBc -50.0dBc

卫星通信地面站(SATCOM)GaN HEMT

卫星通信地面站(SATCOM)

以丰富的产品阵容支持卫星通信地面站(SATCOM)的多样化需求

Ku波段 高出力GaN HEMT・MMIC

Ku波段 高出力GaN HEMT

  • Ku波段20W/50W/70W/80W/100W的GaN器件产品阵容可支持驱动级放大器、末级放大器等多种用途
  • 通过业界顶级的高输出功率产品(MGFK50G3745:100W)和高增益产品(MGFG48G3745:70W),为卫星通信地面站(SATCOM)的小型化和零件数量的削减做出贡献
  • 通过内置线性化功能(MGFG5H1503:20W)实现业界顶级的低失真特性
  • 基于丰富的产品阵容,本公司产品能够满足输出功率、布局空间等各种要求,因此可以提供一整套解决方案(多级放大电路结构)。届时,通过提供适合本公司产品的外围电路,还可以大幅缩短客户的设计周期

※截至2016年9月正在

最新信息 GaN-HEMT

最新信息 GaN MMIC

Ka波段 GaN HEMT MMIC

Ka波段 GaN HEMT MMIC

  • 除了Ku波段以外,Ka波段GaN产品实现了高达8W的输出功率
  • 安装在线性化器转为内置,从而实现了良好的功率放大信号的低失真特性

※截至2017年10月正在

最新信息

产品阵容

频率 型号 输出功率 线性功率增益 功率附加效率 其他
Ku波段 13.75-14.5 GHz MGFG5H1503 20W 43.0dBm 20dB 18% MMIC
MGFK50G3745 100W 50.0dBm 10dB 30% IMFET
MGFK49G3745 80W 49.0dBm 7.5dB 28%
MGFK48G3745 70W 48.3dBm 9.3dB 33%
MGFK47G3745A 50W 47.0dBm 9dB 30%
Ka波段 27.5-31.0GHz MGFG5H3001 8W 39.0dBm 15dB 12% MMIC

本产品的开发部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

  • 如果您寻找低工作电压器件,请访问GaAs器件页面
  • 三菱机电的大多数器件提供ADS/MWO非线性模块以及可靠性数据。请联系销售代表。

特性参数表

请您参照 GaN高频器件 特性参数表