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半导体·器件

高频硅器件高频硅器件

概要

三菱高频硅器件支持无线通信网络。

三菱高频硅器件是针对频率为数MHz到1GHz的移动无线通信设备发射段功率放大用的关键部件,有力地支持了无线通信网络,广泛用于移动公务用无线电设备、业余无线电设备以及车载信息服务市场。


产品选择图

3.6V运作 大功率 MOS FET(分立)

3.6V运作 大功率 MOS FET(分立) RD02LUS2 RD04LUS2

相关的表特性参数

7.2V运作 大功率 MOS FET(分立)

7.2V运作 大功率 MOS FET(分立) RD12MVP1 RD12MVS1 RD08MUS2 RD07MUS2B RD09MUP2 RD10MMS2 RD05MMP1 RD01MUS2 RD02MUS2 RD01MUS2B

相关的表特性参数

12.5V运作 大功率 MOS FET(分立)

12.5V运作 大功率 MOS FET(分立) RD100HHF1C RD70HUP2 RD70HVF1C RD60HUF1C RD35HUP2 RD16HHF1 RD15HVF1 RD06HHF1 RD06HVF1 RD04HMS2

相关的表特性参数

7.2V运作 大功率 MOS FET模块

7.2V运作 大功率 MOS FET模块 RA07M1317M RA07M3847M RA07M4452M RA03M8087M RA03M8894M

相关的表特性参数

9.6V运作 大功率 MOS FET模块

9.6V运作 大功率 MOS FET模块 RA08N1317M RA07N4047M RA07N4452M

★:New Product

相关的表特性参数

12.5V运作 大功率 MOS FET模块

12.5V运作 大功率 MOS FET模块 RA80H1415M1 RA60H1317M1A RA60H1317M1B RA60H3340M1A RA60H3847M1 RA60H3847M1A RA60H4452M1 RA60H4452M1A RA33H1516M1 RA30H1317M1 RA30H1317M1A RA30H3847M1 RA30H3847M1A RA30H4452M1 RA30H4452M1A RA30H2127M1 RA08H1317M RA07N4047M RA07N4452M

★:New Product

相关的表特性参数

  • 三菱机电的大多数器件提供ADS/MWO非线性模块以及可靠性数据。请联系销售代表。

特性参数表

请您参照 高频硅器件 特性参数表