半导体·器件

HVIGBT模块/HVIPMHVIGBT模块/HVIPM

概要

为实现驱动电路的小型化、系统轻量化及高效化,增加HV(High Voltage)IGBT模块的产品阵容、取代需要耐高压、大电流的电铁或大型产业机械等电力电子机器中所用的晶闸管和GTO晶闸管。具备从1.7kV到6.5kV的耐压产品阵容,为大容量变频机器的高可靠性或节能做出贡献。
除了主打的H系列以外、还新增加了在通过高绝缘封装实现轻量化的R系列的基础上进一步进化的X系列。
此外、还具备新一代大容量功率半导体模块的产品阵容、其对应电力变换装置的输出容量、为了设计效率和稳定供应、可互换封装。

主要用途

变换器装置 / 换流器装置 / DC斩波器装置

X系列的特点

  • <标准封装>
  • 搭载CSTBT(第7代IGBT)和RFC二极管*1
  • 通过将芯片终端区域的结构最优化*2、热阻大约降低10%*3
  • 电流容量较H系列、大约增加50%
  • 使封装结构最优化、提高功率周期寿命
  • 保证全部耐压等级下的动作温度(Tj)为150℃*4
  • 通过AlSiC基板实现轻量化
  • 与H系列和R系列的外形互换

  • *1 RFC: Relaxed Field of cathode diode
      通过在阴极部分地增加P层、反向恢复时注入空穴、
      因而使得恢复波形变得平缓、 并且能够抑制电压尖峰的二极管
  • *2 LNFLR:Linearly-Narrowed Field Limiting Ring Ring
  • *3 与R系列(CM750HG-130R)比较
  • *4 全世界首个耐压达到6.5kV(本公司2016年4月调查)

  • 特性图表
特性图表

  • <LV100/HV100封装>
  • 搭载CSTBT(第7代IGBT)和RFC二极管*1
  • 减小内部电感值的封装结构
  • 使绝缘耐压不同的2种封装的外形尺寸通用*2
  • 考虑并联的端子排列最优化
  • 可与其他公司产品*3相同外形尺寸(端子/安装位置)的产品互换

  • *1 RFC: Relaxed Field of Cathode Diode
      通过在阴极部分地增加P层、反向恢复时注入空穴、
      因而使得恢复波形变得平缓、 并且能够抑制电压尖峰的二极管
  • *2 HV100/LV100型
  • *3 德国半导体制造商Infineon Technologies AG的产品 XHP2/XHP3

  • 封装照片
封装照片

特性参数表

请您参照 HVIGBT模块/HVIPM 特性参数表