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半导体·器件

IGBT模块IGBT模块

概要

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)模块是所有工业设备变频化必需的元器件,从20世纪90年代产品化开始,该产品就向着大电流、耐高压方向发展。此外,其产品芯片结构从平面栅极结构发展为沟槽栅极结构,并且凭借CSTBT™M结构(本公司运用载流子储存效应独家研发的IGBT),满足了工业设备低损耗、小型化的要求。从第5代IGBT开始,本公司产品阵营除了包含传统外观的标准(std)型产品,还增加了薄型外观(NX型)的复合型*1产品。

除此以外,公司产品线中的新成员还有S系列(第6代IGBT)和功率损耗更低且尺寸更小的T/T1系列(第7代IGBT)产品。

  • *1:1个封装件中内置逆变器、三相整流器和制动器回路

主要用途

通用变换器 / AC伺服器 / CVCF / 太阳能发电 / 风力发电 / CT / MRI / 诱导加热应用设备


New Products
T/T1系列

T/T1-Series
  • 得益于内置三相整流器,逆变器和制动器电路(CIB)的新产品加入,使得变频器器的设计大为简化
  • 与本公司现有模块相比,CIB模块使得紧凑型变频器外型尺寸约可减小36%
  • 搭载新推出的采用CSTBT™*1结构的第7代IGBT和采用RFC*2结构的二极管,能够减少功率损耗
  • 而新型封装结构可减少焊接层,提高热循环寿命,有助于提高工业设备的可靠性
  • 新型的压接端子和PC-TIM*3,能够简化工业设备组装工艺
  • *1
    CSTBT™:本公司利用载流子储存效应独家研发的IGBT
  • *2
    RFC: Relaxed Field of cathode
  • *3
    PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material (相变热界面材料)

采用新型结构,可靠性提高(热循环寿命提高)

采用新型结构,可靠性提高(热循环寿命提高)

匹配压配合端子(NX型)

  • 可选择控制端子形状(焊接端子/压配合端子)
  • 焊接工艺减少
匹配压配合端子(NX型)

Featured Products
3级变频器用功率模块

Power Modules for 3-level Inverters
  • 兼容3电平逆变器,功耗约减少30%*1
  • 开发了新型封装*2,有助于减少杂散电感,简化变频器电路结构
  • 研发了体积小,低电感的新型封装以优化IGBT规格*3
  • 产品阵容包括4in1*4/1in1/2in1*5形式,有利于变频器的小型化,可提高设计自由度
  • *1
    搭载本产品的3电平逆变器与搭载本公司已有产品的2电平逆变器相比
  • *2
    1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm,4in1型外型尺寸为115mm×82mm,端子位置精心设计
  • *3
    按照3电平逆变器的要求,对采用本公司独家CSTBT™(本公司利用载流子蓄电效果独家开发的IGBT)结构的IGBT规格进行优化
  • *4
    4in1模块将3电平逆变器所需的1相结构封装在一个器件内
  • *5
    共射连接的双向开关模块

内部电路图

内部电路图

特性参数表

请您参照 IGBT模块 特性参数表