半导体·器件

IGBT模块IGBT模块

概要

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模块是所有产业机器实现变频所必需的设备、IGBT自1990年商品化以来、断推进其大电流化和耐高压化特性。
并且、芯片结构从平面结构发展成槽栅结构、通过CSTBT(Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor:本公司独创的载流子贮存型槽栅)、实现产业机器的低损耗化和小型化。
从第5代IGBT起、除了现有外形(std型)以外、在薄型外形(NX型)方面还增加了复合化产品*1阵容。
针对S系列(第6代IGBT)新增了低损耗且小型化的T系列产品阵容。
*1 将变频器、3相转换器和制动的各个电路内置在1个封装中

主要用途

通用变换器 / AC伺服器 / CVCF / 太阳能发电 / 风力发电 / CT / MRI / 诱导加热应用设备


T系列的特点

  • 搭载CSTBT(第7代IGBT)和RFC二极管*1
  • 通过新结构(树脂绝缘铜基板)*2、提高热循环寿命
  • 外形尺寸较以往产品缩小大约36%(CIB)*3div>
  • 可选择端子的形状(焊接和压合*4)
  • 具备std型和NX型外形等2种
  • <可选功能>
  • PC-TIM*5涂布

  • *1 RFC: Relaxed Field of cathode diode
      通过在阴极部分地增加P层、反向恢复时注入空穴、
      因而使得恢复波形变得平缓、并且能够抑制电压尖峰的二极管
  • *2 NX型。std型是厚铜陶瓷铜基板
  • *3 与S系列(1200V/75A)的比较
  • *4 通过压入印刷基板通孔时的弹性变形和复原力、接触通电的端子
  • *5 PC-TIM: Phase Change-Thermal Interface Material
      常温下为固态、是伴随着温度上升而软化的高导热性润滑脂

  • IGBT模块 T系列(CIB) 内部电路图
IGBT模块 T系列(CIB) 内部电路图

  • IGBT模块(CIB)的外形尺寸比较
IGBT模块(CIB)的外形尺寸比较

特性参数表

请您参照 IGBT模块 特性参数表