分立器件
SiC-MOSFET / SiC-SBD
有助于电源系统向低功耗、小型化方向发展。
特征
- 【SiC-MOSFET】 通过采用JFET掺杂技术 *1 在降低导通电阻的同时，实现更低的开关损耗，与传统产品 *2 相比降低了80%的功耗
- 【SiC-SBD】 采用JBS结构，电涌耐量高，有利于实现高度的可靠性
- ※1：掺杂技术通过增加JFET(Junction Field Effect Transistor)区域中的杂质密度，提高器件密度
- ※2：与本公司1200V-IGBT模块相比
主要用途
- 空调
- 太阳能发电
- 充电基础设施
- 车载充电器
- 开关电源
阵容
SiC-MOSFET
| Grade | Package | VDS(V) | RDSon(mΩ) | ID(A) | Name | Datasheet | SPICE Model (LTspice)* |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Industrial | TO-247-4 | 1200 | 80 | 36 | BM080N120K *1 | ||
| 40 | 66 | BM040N120K *1 | |||||
| 22 | 107 | BM022N120K *1 | |||||
| Automotive | TO-247-4 | 1200 | 80 | 36 | BM080N120KJ *1 | ||
| 40 | 66 | BM040N120KJ *1 | |||||
| 22 | 107 | BM022N120KJ *1 |
SiC-SBD
| Grade | Package | VDS(V) | ID(A) | Name |
|---|---|---|---|---|
| Industrial | TO-247-4 | 600 | 20 | BD20060T |
| BD20060A |
* 1: 停止开发
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LTspice is a registered trademark of Analog Devices, Inc.
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