SiC DIPIPM/SiC DIPPFC
搭载SiC MOSFET的传统封装
搭载SiC-MOSFET，有利于降低功耗和缩小系统体积。
特征
- 搭载SiC-MOSFET，有效降低导通电阻，功耗较传统产品※1降低超过70％(SiC DIPIPM)
- 降低恢复电流，从而实现低噪系统
- 搭载本公司自有技术高Vth SiC-MOSFET，无需用于驱动栅极的负偏压电路
- 搭载碳化硅芯片，可支持高频开关(最高40kHz)，缩小电抗器、散热器等周边零件的体积，从而实现降本(SiC DIPPFC)
- 确保与传统产品※1相同的封装和引脚布局的兼容性，只需切换到本产品，即可提高性能(SiC DIPIPM)
- 由于采用的是与超小型DIPIPM相同的封装，因此在同时使用逆变器和散热器时无需为对齐高度而使用垫片，安装更简单（SiC DIPPFC）。
- ※1：本公司生产的超小型DIPIPM系列
DIPIPM、SOPIPM、SLIMDIP、DIPIPM+、DIPPFC、CSTBT是三菱电机株式会社的商标。
主要用途
- 空调
- 小容量逆变器
- 小容量伺服电机
阵容
SiC DIPIPM
| VDSS | ID (A) | 型号 | 内部拓扑 |
|---|---|---|---|
| 600 | 15 | 三相变频，搭载驱动IC | |
| 25 |
SiC DIPPFC
| VDSS | Ii (Arms) | 型号 | 内部拓扑 |
|---|---|---|---|
| 600 | 30 | PFC电路，搭载驱动IC |
特征产品
DIPIPM: SiC MOSFET的优势
调整特性后的低噪音SiC可提高系统的频率和效率
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功率损耗对比
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降低恢复电流，减少噪音
DIPPFC: 采用碳化硅芯片的改善效果
同时减少DC损耗和恢复损耗 ⇒ 改善系统效率
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静态特性
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功率损耗对比
文档
对应产品
SLIMDIP
体积更小，使用更方便
超小型DIPIPM
小容量事实标准封装
关联页面的链接
功率模块损耗仿真软件
可轻松计算功率模块损耗和温升的模拟器。
FAQ
以下为常见问题的回答。
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