VDSS: 600 V, ±ID: 25 A
SiC MOSFETs integrated in Super mini DIPIPM which can easily improve energy efficiency
特征
主要用途
主要规格
参数 | 值 | 单位 |
---|---|---|
VDSS | 600 | V |
±ID | 25 | A |
绝缘耐压 | 1500 | Vrms |
Tch | 150 | ℃ |
内部拓扑 | 三相变频,搭载驱动IC | |
封装类别 | 超小型 | |
供货状态 | 批量生产 | |
UL Recognition : UL1557 | File E323585 |
文档
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