CH0560C-0750AA / WF0560C-0750AA
750V, 560A, RC-IGBT 裸芯片
状态： 开发中 （可提供样品）
第三代RC-IGBT*工艺技术和优化结构设计实现低损耗、高可靠性器件
*RC-IGBT : Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor
特点
- 通过将IGBT和FWD集成在一个芯片上，与以往分别配置IGBT和FWD的情况相比，可大幅减少芯片的安装面积，有助于系统的小型化。
- 第三代 RC-IGBT 采用阳极-阴极结构，抑制载流子注入效率，从而减少 FWD 中的恢复损耗。
- 片上温度传感二极管和片上电流传感
主要用途
- EV和HEV
- 车载充电器
- 充电基础设施
主要规格
| Parameter | Level | Value | Unit |
|---|---|---|---|
| Device | RC-IGBT 裸芯片 | ||
| VCES | Max. | 750 | V |
| IC | Max. | 560 | A |
| Supply situation | 开发中 | ||
| Main Applications | 汽车 |
包装信息
CH560C-0750AA : Chip tray
WF560C-0750AA : Sawn on film
请联系我们获取样品、数据表和应用说明。
产品信息咨询
文档
关联页面的链接
SiC Power Devices
介绍三菱电机的SiC功率器件。
FAQ