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WF0080P-1200xx

1200V, 80mΩ, SiC MOSFET 裸芯片

状态：量产准备中　（可提供样品）　　　※型号末尾的"xx"表示暂定。

通过沟槽型SiC-MOSFET工艺技术和优化结构设计实现低损耗、高可靠性器件

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特点

  • 将Si功率器件中培育的高质量工艺技术应用于SiC-MOSFET
  • 通过优化的结构设计和高质量的工艺技术实现低导通电阻特性和高可靠性

主要用途

  • EV和HEV
  • 车载充电器
  • 充电基础设施
  • DC/DC转换器

主要规格
Parameter Level Value Unit
Device SiC MOSFET 裸芯片
VDSS Max. 1200 V
RDS(ON) Typ. 80* mΩ
Supply situation 量产准备中
Main Applications 汽车 ／ 工业

包装信息
    WF0080P-1200xx : Sawn on film

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