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全SiC SLIMDIP/混合SiC SLIMDIP

在追求小型化的 SLIMDIP 封装中搭载了 SiC MOSFET

SLIMDIP系列首款搭载 SiC MOSFET 的产品，实现了高输出化与大幅降低电力损耗，并为家电的节能化作出贡献。

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特征

  • 在优化端子排列的  SLIMDIP  封装中搭载了  SiC MOSFET。
  • 与传统的超小型DIPIPM系列相比，外形尺寸减少约30%。
  • 端子排列、保护功能、最大壳体温度等与搭载Si芯片的SLIMDIP系列相同。
  • 采用全SiC结构，与现有Si产品相比大幅降低电力损耗，为家电的低能耗化做出巨大贡献 (全SiC SLIMDIP)。
  • 在一个封装内搭载 SiC MOSFET 与 RC-IGBT※1，并配备可实现并联驱动的自有驱动 IC (混合 SiC SLIMDIP)。
  • ※1：Reverse Conducting IGBT
DIPIPM、SOPIPM、SLIMDIP、DIPIPM+、DIPPFC、CSTBT是三菱电机株式会社的商标。

主要用途

  • 空调
  • 洗衣机・干衣机
  • 风扇
  • 小容量逆变器
  • 小容量伺服电机
  • 泵

阵容

VCES / VDSS = 600V
配置IC/ID [A]型号
全SiC SLIMDIP15
混合SiC SLIMDIP15

Featured Products

内部结构

全SiC SLIMDIP为全SiC结构、混合型SiC SLIMDIP分别采用SiC MOSFET与RC-IGBT的并联结构。
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    SLIMDIP (SLIMDIP-L等等)

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    混合SiC SLIMDIP

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    全SiC SLIMDIP

采用SiC SLIMDIP实现的损耗降低 (与传统产品的对比比例)

搭载SiC MOSFET后，与采用传统Si器件的产品相比，实现了显著的损耗降低，对民用设备的节能作出了重要贡献。
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    Io = 1.5Arms

  • ##@.TEXT_23_02_VEW##

    Io = 4Arms

功率损耗估算条件：三相调制, VCC/VDD = 300V, fC = 5kHz, fO = 60Hz, P.F.=0.8, Modulation=1, Tj=125℃ data

应用说明(英语)

对应产品

全SiC超小型DIPIPM

VDSS = 600V
ID = 15A～25A

SLIMDIP

VCES = 600V
ID = 5A～600A

关联页面的链接

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FAQ

以下为常见问题的回答。

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