IGBT模块 LV100型
T系列搭载第7代IGBT
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是所有工业设备变频化不可或缺的元器件，从20世纪90年代产品化开始，就向着大电流、高耐压方向发展。此外，其产品芯片结构从平面栅结构发展为沟槽栅结构，并且凭借CSTBT™（本公司运用载流子存储效应研发的IGBT），满足了工业设备低损耗、小型化的要求。与传统的 S 系列（第六代 IGBT）相比，T/T1 系列的功率损耗更低，体积更小。此外，还在传统外形的标准（std）型的基础上增加了NX型和LV100型。
特点
- 搭载采用CSTBT™※1结构的第7代IGBT和采用RFC※2结构的二极管，降低功率损耗，有利于降低工业设备的功耗
- 通过新结构减少焊接部分，通过延长热循环寿命有利于提高工业设备的可靠性
- 标准封装，支持多源极
- 采用低电感PKG，提高了易用性
- 开关损耗低，最适合1kHz-5kHz用途。
- 绝缘耐压 4kV
- ※1：本公司利用载流子存储效应自主研发的IGBT
- ※2：Relaxed Field of cathode
主要用途
- 运动控制
- 可再生能源
- 电源和不间断电源装置(UPS)
低电感结构
阵容
T系列
| IC (A) | 内部拓扑 | 型号 | ||
|---|---|---|---|---|
| VCES=1200V | VCES=1700V | VCES=2000V | ||
| 800 | - | |||
| 1200 | ||||
| 封装 |  | |||
文档
对应产品
IGBT模块 std型
2in1电路结构，共有3种封装。
IGBT模块 NX型
有2in1、6in1、7in1、CIB等多种电路结构。还可以选择压接式封装。
关联页面的链接
功率模块损耗仿真软件
可轻松计算功率模块损耗和温升的模拟器。
FAQ