IGBT模块 NX型
T/T1系列搭载第7代IGBT
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是所有工业设备变频化不可或缺的元器件，从20世纪90年代产品化开始，就向着大电流、高耐压方向发展。此外，其产品芯片结构从平面栅结构发展为沟槽栅结构，并且凭借CSTBT™（本公司运用载流子存储效应研发的IGBT），满足了工业设备低损耗、小型化的要求。与传统的 S 系列（第六代 IGBT）相比，T/T1 系列的功率损耗更低，体积更小。此外，还在传统外形的标准（std）型的基础上增加了NX型和LV100型。
特点
- 产品阵容中新增内置三相转换器、逆变器和制动电路（CIB）的产品，有助于简化工业设备的设计
- 外形尺寸较传统产品缩小约36％，有助于工业设备的小型化（CIB）
- 搭载采用CSTBT™※1结构的第7代IGBT和采用RFC※2结构的二极管，降低功率损耗，有利于降低工业设备的功耗
- 通过新结构减少焊接部分，通过延长热循环寿命有利于提高工业设备的可靠性
- 采用压接端子和PC-TIM※3，简化工业设备组装工序
- ※1：本公司利用载流子存储效应自主研发的IGBT
- ※2：Relaxed Field of cathode
- ※3：Phase Change-thermal Interface Material
主要用途
- 运动控制
- 可再生能源
- 电源和不间断电源装置(UPS)
采用新结构，提高可靠性（延长热循环寿命）
阵容
T/T1系列
| IC (A) | 内部拓扑 | 型号 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCES=650V | VCES=1200V | VCES=1700V | |||||
| Pin | Pressfit | Pin | Pressfit | Pin | Pressfit | ||
| 35 | - | - | - | - | |||
| 50 | - | - | |||||
| 75 | - | - | |||||
| - | - | ||||||
| 100 | |||||||
| - | - | - | - | ||||
| - | - | ||||||
| 150 | |||||||
| - | - | ||||||
| 200 | - | - | |||||
| - | - | ||||||
| 225 | - | - | |||||
| 300 | |||||||
| 450 | |||||||
| 600 | |||||||
| 800 | - | - | - | - | |||
| 1000 | - | - | - | - | |||
| 封装 |  ※ 图片为代表型号。外形因产品型号名称而异。 | ||||||
文档
对应产品
IGBT模块 LV100型
一种通用性极高的外形封装，广泛应用于铁路和电力领域，电流密度高达17.14 A/cm2，实现了业界最高等级※1。 ※1. 本公司截至2020年8月25日的调查结果。
IGBT模块 std型
2in1电路结构，共有3种封装。
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功率模块损耗仿真软件
可轻松计算功率模块损耗和温升的模拟器。
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