功率器件 > 产品信息 > 功率模块 > IGBT-MODULE-STD
IGBT模块 std型

T/T1系列搭载第7代IGBT

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是所有工业设备变频化不可或缺的元器件，从20世纪90年代产品化开始，就向着大电流、高耐压方向发展。此外，其产品芯片结构从平面栅结构发展为沟槽栅结构，并且凭借CSTBT™（本公司运用载流子存储效应研发的IGBT），满足了工业设备低损耗、小型化的要求。与传统的 S 系列（第六代 IGBT）相比，T/T1 系列的功率损耗更低，体积更小。此外，还在传统外形的标准（std）型的基础上增加了NX型和LV100型。

Previous Next

特点

  • 搭载采用CSTBT™※1结构的第7代IGBT和采用RFC※2结构的二极管，降低功率损耗，有利于降低工业设备的功耗
  • 通过新结构减少焊接部分，通过延长热循环寿命有利于提高工业设备的可靠性
  • ※1：本公司利用载流子存储效应自主研发的IGBT
  • ※2：Relaxed Field of cathode

主要用途

  • 运动控制
  • 可再生能源
  • 电源和不间断电源装置(UPS)

采用新结构，提高可靠性（延长热循环寿命）

阵容

T系列

文档

对应产品

IGBT模块 LV100型

一种通用性极高的外形封装，广泛应用于铁路和电力领域，电流密度高达17.14 A/cm2，实现了业界最高等级※1。
※1. 本公司截至2020年8月25日的调查结果。

IGBT模块 NX型

有2in1、6in1、7in1、CIB等多种电路结构。还可以选择压接式封装。

关联页面的链接

功率模块损耗仿真软件

可轻松计算功率模块损耗和温升的模拟器。

FAQ

以下为常见问题的回答。