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裸芯片

SiC-MOSFET / RC-IGBT 裸芯片

平面型和沟槽型 SiC MOSFET 技术、第三代RC-IGBT*技术有助于实现低功耗和高可靠性。

*RC-IGBT : Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor

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特征

  • SiC-MOSFET
  • 与传统的 Si-IGBT 相比，SiC-MOSFET 可以实现更低的损耗和更高的工作频率，有助于系统小型化
  • 通过在沟槽结构中形成高质量的栅极氧化膜，可以抑制长期使用过程中的Vth波动和损耗劣化。
  • 除了保护栅极氧化膜的Bottom P-Well 结构外，三菱独创结构（SPW*1、J-FET 掺杂*2）实现了高栅极可靠性、低Ron和低开关损耗。
  • *1：沟槽型设备的Side P-Well
  • *2：掺杂技术通过增加JFET(Junction Field Effect Transistor)区域中的杂质密度，提高器件密度
  •  
  • RC-IGBT
  • 通过将IGBT和FWD集成在一个芯片上，与以往分别配置IGBT和FWD的情况相比，可大幅减少芯片的安装面积，有助于系统的小型化。
  • 第三代RC-IGBT采用了抑制载流子注入效率的阳极阴极结构，实现了FWD中恢复损耗的降低。
  • 搭载片温度传感器二极管和片电流传感器

主要用途

  • EV / HEV
  • 车载充电器
  • 充电基础设施

阵容

SiC-MOSFET
型号结构VDS [V]RDS(on)typ.
[mΩ] @Tj=25℃		用途状态
Planar120017Automotive
/ Industrial		Preparing for mass production
Planar120030Automotive
/ Industrial		Preparing for mass production
Planar120040Automotive
/ Industrial		Preparing for mass production
Planar120060Automotive
/ Industrial		Preparing for mass production
Planar120080Automotive
/ Industrial		Preparing for mass production
Trench12008.9AutomotiveUnder development
Trench7506.4AutomotiveUnder development
Trench75020Automotive
/ Industrial		Under development
Trench75040Automotive
/ Industrial		Under development
Trench75060Automotive
/ Industrial		Under development
Trench75080Automotive
/ Industrial		Under development
      * 型号末尾的"xx"表示暂定。
RC-IGBT
型号结构VCE [V]IC [A]用途状态
Trench750400AutomotiveUnder development
Trench750560AutomotiveUnder development

包装信息
　CHxxxx-xxxxxx  :  Chip tray
　WFxxxx-xxxxxx  :  Sawn on film

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