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裸芯片

SiC-MOSFET / RC-IGBT 裸芯片

平面型和沟槽型 SiC MOSFET 技术、第三代RC-IGBT*技术有助于实现低功耗和高可靠性。

*RC-IGBT : Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor

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特征

  • SiC-MOSFET
  • 与传统的 Si-IGBT 相比，SiC-MOSFET 可以实现更低的损耗和更高的工作频率，有助于系统小型化
  • 通过在沟槽结构中形成高质量的栅极氧化膜，可以抑制长期使用过程中的Vth波动和损耗劣化。
  • 除了保护栅极氧化膜的Bottom P-Well 结构外，三菱独创结构（SPW*1、J-FET 掺杂*2）实现了高栅极可靠性、低Ron和低开关损耗。
  • *1：沟槽型设备的Side P-Well
  • *2：掺杂技术通过增加JFET(Junction Field Effect Transistor)区域中的杂质密度，提高器件密度
  •  
  • RC-IGBT
  • 通过将IGBT和FWD集成在一个芯片上，与以往分别配置IGBT和FWD的情况相比，可大幅减少芯片的安装面积，有助于系统的小型化。
  • 第三代RC-IGBT采用了抑制载流子注入效率的阳极阴极结构，实现了FWD中恢复损耗的降低。
  • 搭载片温度传感器二极管和片电流传感器

主要用途

  • EV / HEV
  • 车载充电器
  • 充电基础设施

阵容

SiC-MOSFET
Type NameStructureVDS [V]RDS(on)typ.
[mΩ]*		ApplicationStatus
Trench12009.0AutomotiveUnder development
Trench7507.8AutomotiveUnder development
 * Tj=25℃
RC-IGBT
Type NameStructureVCE [V]IC [A]ApplicationStatus
Trench750400AutomotiveUnder development
Trench750560AutomotiveUnder development

包装信息
　CHxxxx-xxxxxx  :  Chip tray
　WFxxxx-xxxxxx  :  Sawn on film

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SiC Power Devices

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