J3 Series
Automotive SiC / Si Power Module
凭借其紧凑的尺寸和丰富的产品阵容，它支持多种xEV，扩大续航里程，并有助于改善功耗。
现在，xEV 逆变器的小型化成为可能，J3-T-PM*1 ，J3-HEXA-S 和 J3-HEXA-L 系列支持各种容量的逆变器设计。
*1：Transfer molded Power Module：传递模塑型功率半导体模块
特点
- 与现有产品相比，模块尺寸缩小约 60%*2 ，这将有助于实现更小的 xEV 逆变器
- 有两种类型的半导体器件：SiC-MOSFET 和 RC-IGBT (Si)。
- SiC-MOSFET采用沟槽型，损耗低
- RC-IGBT（Si）采用将IGBT和FWD（续流二极管）安装在一个芯片上的新结构。
- 基于J3-T-PM组合的丰富产品阵容*3支持各种xEV逆变器设计
- *2 : 与二合一型传递模塑功率半导体模块"CT300DJH120"的比较
- *3 : J3-T-PM 和 J3-配备三个J3-T-PM，HEXA-S 和 J3-HEXA-L，带 6 个 J3-T-PM
主要用途
- EV和HEV
- 高可靠性应用
产品线列表
| 型 | 内部拓扑 | 半导体器件 | VDSS / VCES (V) | ID / IC (A) | 型号 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| J3-T-PM | 2in1 | SiC MOSFET | 1300 | 350 | 开发中 | |
| Si RC-IGBT | 750 | 400 | 开发中 | |||
| J3-HEXA-S |
6in1 with Pin-Fin Base |
SiC MOSFET | 1300 | 350 | 开发中 | |
| Si RC-IGBT | 750 | 400 | 开发中 | |||
| J3-HEXA-L |
6in1 with Pin-Fin Base |
SiC MOSFET | 1300 | 700 | 开发中 | |
| Si RC-IGBT | 750 | 800 | 开发中 |
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